【泰克先進半導體實驗室】遠山半導體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件
這次提供的氮化鎵功率器件在高電壓大電流條件下的良好表現(xiàn)，打破了傳統(tǒng)氮化鎵器件額定電壓650V的限制。
氮化鎵
宏光半導體氮化鎵功率器件外延片產品正式投產 實現(xiàn)GaN業(yè)務產能落地 銳意創(chuàng)造全新盈利增長點
遠早于預期時間表成功制造外延片為集團快速產業(yè)化及量產第三代半導體鋪路，乃其轉型成為第三代半導體GaN 供應商的重要成果，標志著集團邁向第三代半導體GaN商業(yè)化的里程碑。